RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
49
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
38
Velocità di lettura, GB/s
10.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2908
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link