RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
104
Intorno -215% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
33
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3385
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Segnala un bug
×
Bug description
Source link