Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

総合得点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

バグを報告する

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 49

周辺 -29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.7 10.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.4 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 12800

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

49 38
読み出し速度、GB/s

10.2 14.7
書き込み速度、GB/秒

8.1 12.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 25600

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2465 2908

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9965662-019.A00G 32GB

Kingston 9965662-019.A00G 32GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

Kingston 99U5403-002.A00G 2GB

Kingston 99U5403-002.A00G 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB