RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2908
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link