RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
57
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
32
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2641
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link