RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2731
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link