RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2082
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link