RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
77
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2556
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link