RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2534
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link