RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2352
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link