RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2402
2831
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link