RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
4039
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link