RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
INTENSO M418039 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
20
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO M418039 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
20
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2414
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
INTENSO M418039 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link