RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Comparar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
INTENSO M418039 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
20
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO M418039 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
20
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
2414
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link