RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2346
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link