RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
43
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
43
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2928
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link