RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
3909
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Ramaxel Technology RMN1740EF48D8F-800 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link