RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
33
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2910
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link