RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
2534
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link