RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2201
3933
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link