RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2201
2709
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link