RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1994
3693
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link