RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1994
3519
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link