RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
61
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2561
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link