RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
2490
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link