RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3938
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link