RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2952
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link