RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1896
3595
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Lenovo 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link