RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
61
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2936
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link