RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1896
2374
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link