RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3142
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link