RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3142
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link