RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3142
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link