RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1896
1660
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link