RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
3344
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link