RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
2759
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link