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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.1
12.6
写入速度,GB/s
4.7
10.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2759
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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