Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 73
    Wokół strony -181% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.2 left arrow 6.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.6 left arrow 4.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 8500
    Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    73 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    6.1 left arrow 16.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    4.7 left arrow 12.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1021 left arrow 2955
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania