RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3755
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Inmos + 256MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link