RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
3221
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link