RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3116
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link