RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
2073
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link