RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2144
3473
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link