RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2852
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link