Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 37
    Wokół strony -19% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.5 left arrow 12
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.5 left arrow 7.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 10600
    Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.0 left arrow 20.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 15.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1853 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania