RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3762
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link