RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2650
3814
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link