RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2277
3343
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link