RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
2962
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link