RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
101
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
101
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
1382
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link