RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1986
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link